2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, Tipo P, 700 mΩ, 800 mA 30 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMC3401LDW-7

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9000 - 210000,055 €165,00 €
24000 - 420000,054 €162,00 €
45000 +0,053 €159,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
206-0062
Codice costruttore:
DMC3401LDW-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

800mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

DMC3401

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

700mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.4W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.5nC

Tensione diretta Vf

0.7V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.15mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.95mm

Larghezza

1.3 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a coppia complementare DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con dissipazione di potenza termica di 0,29 W.

Bassa capacità di ingresso

Elevata velocità di commutazione

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