2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, Tipo P, 700 mΩ, 800 mA 30 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMC3401LDW-7
- Codice RS:
- 206-0062
- Codice costruttore:
- DMC3401LDW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,057 € | 171,00 € |
| 9000 - 21000 | 0,055 € | 165,00 € |
| 24000 - 42000 | 0,054 € | 162,00 € |
| 45000 + | 0,053 € | 159,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0062
- Codice costruttore:
- DMC3401LDW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 800mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | DMC3401 | |
| Tipo di package | US | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 700mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.4W | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Lunghezza | 2.15mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 800mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie DMC3401 | ||
Tipo di package US | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 700mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.4W | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.95mm | ||
Lunghezza 2.15mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a coppia complementare DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con dissipazione di potenza termica di 0,29 W.
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
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