2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 700 mΩ, 800 mA 30 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
206-0085
Codice costruttore:
DMN3401LDW-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

800mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

US

Serie

DMN3401

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

700mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

0.35W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Lunghezza

2.15mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.95mm

Larghezza

1.3 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Paese di origine:
CN
Il MOSFET dual in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con dissipazione di potenza termica di 0,29 W.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità di ingresso

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