MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.4 Ω, 800 mA 30 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
222-2841
Codice costruttore:
DMN3401LDWQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

800mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

US

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

0.35W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

Il MOSFET DiodesZetex Dual in modalità potenziata a canale N è progettato per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni automobilistiche. È qualificato per AEC-Q101, supportato da un PPAP.

MOSFET a doppio a canale N

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Gate con protezione ESD

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