2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo P, 1.7 Ω 30 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMP31D7LDWQ-7
- Codice RS:
- 246-7532
- Codice costruttore:
- DMP31D7LDWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 246-7532
- Codice costruttore:
- DMP31D7LDWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | US | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -0.8V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.29W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package US | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -0.8V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.29W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SOT363 e il profilo da 0,6 mm lo rende ideale per le applicazioni a profilo basso. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
La tensione massima da drain a sorgente è di 30 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V Offre una bassa tensione soglia di gate Fornisce una bassa capacità di ingresso
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