MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 3 Ω, 261 mA 60 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin 2N7002DWK-7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-2692
Codice costruttore:
2N7002DWK-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

261mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

2N7002

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

0.33W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.51nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Il MOSFET doppio a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa tensione di soglia del gate

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

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