2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 3.5 Ω 60 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMN61D9UDWQ-7
- Codice RS:
- 246-7520
- Codice costruttore:
- DMN61D9UDWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,132 € | 3,30 € |
| 50 - 75 | 0,129 € | 3,23 € |
| 100 - 225 | 0,096 € | 2,40 € |
| 250 - 975 | 0,094 € | 2,35 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 246-7520
- Codice costruttore:
- DMN61D9UDWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | US | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.37W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package US | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.37W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET DiodesZetex è progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SOT363. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 60 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V. Offre dimensioni del contenitore ultra-piccole. Ha bassa dispersione in ingresso/uscita
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