2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 3.5 Ω 60 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMN61D9UDWQ-7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7520
Codice costruttore:
DMN61D9UDWQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

0.37W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.4V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SOT363. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 60 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V. Offre dimensioni del contenitore ultra-piccole. Ha bassa dispersione in ingresso/uscita

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