MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 6 Ω, 217 mA 60 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
222-2847
Codice costruttore:
DMN66D0LDWQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

217mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

US

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

250mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.95mm

Standard/Approvazioni

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Larghezza

1.3mm

Lunghezza

2.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Il MOSFET DiodesZetex Dual N-channel è progettato per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni automobilistiche. È qualificato per AEC-Q101, supportato da un PPAP.

MOSFET a doppio a canale N

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa tensione di soglia del gate

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

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