MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 6 Ω, 217 mA 60 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMN66D0LDWQ-7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-2848
Codice costruttore:
DMN66D0LDWQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

217mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMN

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

250mW

Tensione diretta Vf

0.8V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.15mm

Larghezza

1.3 mm

Altezza

0.95mm

Standard/Approvazioni

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Standard automobilistico

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Il MOSFET DiodesZetex Dual N-channel è progettato per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni automobilistiche. È qualificato per AEC-Q101, supportato da un PPAP.

MOSFET a doppio a canale N

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa tensione di soglia del gate

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

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