1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo P, 1.7 Ω, 550 mA 30 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMP31D7LDW-7
- Codice RS:
- 206-0121
- Codice costruttore:
- DMP31D7LDW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,064 € | 192,00 € |
| 9000 - 21000 | 0,063 € | 189,00 € |
| 24000 - 42000 | 0,061 € | 183,00 € |
| 45000 + | 0,059 € | 177,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0121
- Codice costruttore:
- DMP31D7LDW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 550mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | DMP31 | |
| Tipo di package | US | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.36nC | |
| Tensione diretta Vf | -0.8V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.46W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Lunghezza | 2.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 550mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie DMP31 | ||
Tipo di package US | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.36nC | ||
Tensione diretta Vf -0.8V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.46W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Altezza 0.95mm | ||
Lunghezza 2.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET dual a canale P in modalità potenziata DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è 20V con dissipazione di potenza termica di 0,29 W.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità di ingresso
Gate con protezione ESD
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