MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 3 Ω, 261 mA 60 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
222-2843
Codice costruttore:
DMN62D4LDW-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

261mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMN

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.51nC

Dissipazione di potenza massima Pd

0.45W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Il MOSFET Dual N-DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

MOSFET a doppio a canale N

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa tensione di soglia del gate

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

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