MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 39 mΩ 650 V, 72 A, TO-247-4, Foro passante, 4 Pin STW68N65DM6-4AG
- Codice RS:
- 210-8749
- Codice costruttore:
- STW68N65DM6-4AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 210-8749
- Codice costruttore:
- STW68N65DM6-4AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 72A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247-4 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 39mΩ | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 72A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247-4 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 39mΩ | ||
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido Mesh DM6. Rispetto alla precedente generazione Mesh Fast, il DM6 combina carica di recupero (Qrr), tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento dell'RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le più esigenti topologie di ponte ad alta efficienza e convertitori a spostamento di fase ZVS.
Progettato per applicazioni automobilistiche
Diodo corpo a recupero rapido
RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa carica del gate, capacità di ingresso e resistenza
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Robustezza dv/dt estremamente elevata
Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin di alimentazione supplementare
Protezione Zener
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