1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.033 Ω, 6 A 100 V, VDFN, Superficie Miglioramento, 12 Pin

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1422,00 €

(IVA esclusa)

1734,00 €

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Codice RS:
213-9146
Codice costruttore:
DMHT10H032LFJ-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

DMHT10H032LFJ

Tipo di package

VDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.033Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

64W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.3nC

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Altezza

0.8mm

Larghezza

4.5 mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

DiodesZetex serie DMHT10H032LFJ è un MOSFET a canale N in configurazione H-bridge.

Elevata efficienza di conversione

Elevata velocità di commutazione

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