MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.011 Ω, 10.6 A 30 V, VDFN-3030, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
222-2867
Codice costruttore:
DMT3009UDT-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

DMT

Tipo di package

VDFN-3030

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.011Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

16W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.6nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

Il MOSFET Dual N-DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Tensione di soglia gate ultra bassa

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

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