MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 4 mΩ Miglioramento, 16.1 A, 8 Pin, VDFN, Superficie

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Codice RS:
222-2880
Codice costruttore:
DMT64M8LCG-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

16.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

VDFN

Serie

DMT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.16W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

0.8 mm

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre RDS(ON) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione. Questo dispositivo è ideale per l'uso nella gestione dell'alimentazione della batteria dei notebook e nell'interruttore di distribuzione di carico.

Elevata efficienza di conversione

Bassa RDS(ON) - riduce le perdite in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Gate con protezione ESD

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