2 MOSFET di potenza DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 26 mΩ, 9.1 A 60 V, VDFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 10000 unità*

4080,00 €

(IVA esclusa)

4980,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 20.000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
10000 +0,408 €4.080,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
182-6931
Codice costruttore:
DMT6018LDR-13
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

9.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

VDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.2nC

Tensione diretta Vf

0.75V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.9W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

0.8mm

Larghezza

3.05 mm

Lunghezza

3.05mm

Standard/Approvazioni

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di nuova generazione è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

Applicazioni

Funzioni di gestione dell'alimentazione

Interruttore analogico

Link consigliati