2 MOSFET di potenza DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 26 mΩ, 9.1 A 60 V, VDFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
182-7493
Codice costruttore:
DMT6018LDR-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

9.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

VDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.9W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione diretta Vf

0.75V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

0.8mm

Lunghezza

3.05mm

Larghezza

3.05 mm

Standard/Approvazioni

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di nuova generazione è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

Applicazioni

Funzioni di gestione dell'alimentazione

Interruttore analogico

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