1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.033 Ω, 6 A 100 V, VDFN, Superficie Miglioramento, 12 Pin DMHT10H032LFJ-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
213-9147
Codice costruttore:
DMHT10H032LFJ-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

VDFN

Serie

DMHT10H032LFJ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.033Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

64W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Lunghezza

5mm

Altezza

0.8mm

Larghezza

4.5 mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

DiodesZetex serie DMHT10H032LFJ è un MOSFET a canale N in configurazione H-bridge.

Elevata efficienza di conversione

Elevata velocità di commutazione

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