1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.033 Ω, 6 A 100 V, VDFN, Superficie Miglioramento, 12 Pin DMHT10H032LFJ-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
213-9147
Codice costruttore:
DMHT10H032LFJ-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

DMHT10H032LFJ

Tipo di package

VDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.033Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

64W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.3nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020

Larghezza

4.5 mm

Altezza

0.8mm

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

DiodesZetex serie DMHT10H032LFJ è un MOSFET a canale N in configurazione H-bridge.

Elevata efficienza di conversione

Elevata velocità di commutazione

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