1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.19 Ω, 1 A 30 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMN3190LDWQ-7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
213-9186
Codice costruttore:
DMN3190LDWQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

DMN3190LDWQ

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.19Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

0.4W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.9nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020

Lunghezza

2.15mm

Larghezza

2.1 mm

Altezza

0.95mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET serie DiodesZetex DMN3190LDWQ è progettato per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni automobilistiche.

Bassa capacità di ingresso

Elevata velocità di commutazione

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