1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale N, 0.19 Ω, 1 A 30 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMN3190LDWQ-7
- Codice RS:
- 213-9186
- Codice costruttore:
- DMN3190LDWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 50 unità*
18,20 €
(IVA esclusa)
22,20 €
(IVA inclusa)
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- 17.600 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,364 € | 18,20 € |
| 100 - 200 | 0,318 € | 15,90 € |
| 250 - 450 | 0,312 € | 15,60 € |
| 500 - 950 | 0,283 € | 14,15 € |
| 1000 + | 0,255 € | 12,75 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 213-9186
- Codice costruttore:
- DMN3190LDWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | US | |
| Serie | DMN3190LDWQ | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.19Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.4W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Altezza | 950μm | |
| Lunghezza | 2.15mm | |
| Larghezza | 2.1mm | |
| Standard/Approvazioni | UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package US | ||
Serie DMN3190LDWQ | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.19Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.4W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Altezza 950μm | ||
Lunghezza 2.15mm | ||
Larghezza 2.1mm | ||
Standard/Approvazioni UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
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