1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.0016 Ω, 460 mA 50 V, US, Superficie Miglioramento, 3 Pin
- Codice RS:
- 213-9190
- Codice costruttore:
- DMN53D0LDWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
216,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,072 € | 216,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 213-9190
- Codice costruttore:
- DMN53D0LDWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 460mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 50V | |
| Tipo di package | US | |
| Serie | DMN53D0LDWQ | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0016Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 310W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Larghezza | 1.35 mm | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Lunghezza | 2.15mm | |
| Standard/Approvazioni | J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 460mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 50V | ||
Tipo di package US | ||
Serie DMN53D0LDWQ | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0016Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 310W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Larghezza 1.35 mm | ||
Altezza 0.95mm | ||
Lunghezza 2.15mm | ||
Standard/Approvazioni J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
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