MOSFET Infineon, canale Tipo N 500 V, 2 Ω Miglioramento, 2.2 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
214-4378
Codice costruttore:
IPD50R2K0CEAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

TO-252

Serie

500V CoolMOS CE

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.83V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.35mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.42 mm

Lunghezza

6.65mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET CE Cool MOS 500 V Infineon è una piattaforma ottimizzata per ottimizzare le prestazioni in termini di prezzo che consente di soddisfare le esigenze delle applicazioni sensibili ai costi nei mercati dei beni di consumo e dell'illuminazione pur soddisfacendo i più elevati standard di efficienza.

Fornisce una robustezza di commutazione molto elevata

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