MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 11.1 mΩ Miglioramento, 96 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IPT111N20NFDATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4424
Codice costruttore:
IPT111N20NFDATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

96A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

HSOF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

65nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.4mm

Lunghezza

10.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

10.58 mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET Infineon OptiMOS 3 è la soluzione perfetta per le applicazioni ad alta potenza in cui sono richiesti la massima efficienza, un eccezionale comportamento EMI, nonché il miglior comportamento termico e la riduzione dello spazio.

È conforme alla direttiva RoHS

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