MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 11.1 mΩ Miglioramento, 96 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IPT111N20NFDATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4424
Codice costruttore:
IPT111N20NFDATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

96A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

HSOF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

65nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.58mm

Altezza

2.4mm

Lunghezza

10.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET Infineon OptiMOS 3 è la soluzione perfetta per le applicazioni ad alta potenza in cui sono richiesti la massima efficienza, un eccezionale comportamento EMI, nonché il miglior comportamento termico e la riduzione dello spazio.

È conforme alla direttiva RoHS

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