MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 11.1 mΩ Miglioramento, 108 A, 8 Pin, HSOG, Superficie

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Codice RS:
233-4388
Codice costruttore:
IPTG111N20NM3FDATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

108A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

IPTG

Tipo di package

HSOG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.4mm

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS IPTG111N20NM3FD viene fornito in un contenitore migliorato con cavi ad ali di gabbiano. Con un ingombro compatibile per l'uso senza piombo, TOLG consente eccellenti prestazioni elettriche rispetto a D2PAK a 7 pin con una riduzione dello spazio su scheda di ∼60%. Questo nuovo contenitore in OptiMOS 3 - 200 V offre una RDS(ON) molto bassa ed è ottimizzato per gestire una corrente elevata di 300 A. La flessibilità dei cavi ad ali di gabbiano, OptiMOS in contenitore TOLG mostra un'eccellente affidabilità del giunto a saldare sulla scheda al-IMS.

Elevata efficienza e EMI ridotte

Capacità ad alte prestazioni

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