MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 11.1 mΩ Miglioramento, 108 A, 8 Pin, HSOG, Superficie IPTG111N20NM3FDATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-4389
Codice costruttore:
IPTG111N20NM3FDATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

108A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

IPTG

Tipo di package

HSOG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.1mm

Altezza

2.4mm

Larghezza

8.75 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS IPTG111N20NM3FD viene fornito in un contenitore migliorato con cavi ad ali di gabbiano. Con un ingombro compatibile per l'uso senza piombo, TOLG consente eccellenti prestazioni elettriche rispetto a D2PAK a 7 pin con una riduzione dello spazio su scheda di ∼60%. Questo nuovo contenitore in OptiMOS 3 - 200 V offre una RDS(ON) molto bassa ed è ottimizzato per gestire una corrente elevata di 300 A. La flessibilità dei cavi ad ali di gabbiano, OptiMOS in contenitore TOLG mostra un'eccellente affidabilità del giunto a saldare sulla scheda al-IMS.

Elevata efficienza e EMI ridotte

Capacità ad alte prestazioni

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