MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3.7 mΩ, 180 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 214-4441
- Codice costruttore:
- IRF1404ZSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 bobina da 800 unità*
692,00 €
(IVA esclusa)
844,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 2400 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,865 € | 692,00 € |
| 1600 + | 0,844 € | 675,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4441
- Codice costruttore:
- IRF1404ZSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 180A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.7mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 150nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 180A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.7mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 150nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la rapida velocità di commutazione e l'effetto valanga ripetitivo migliorato
È senza piombo
Link consigliati
- MOSFET Infineon 0 180 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 0 120 A Su foro
- MOSFET Infineon 4 180 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 180 m.Ω D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 2 180 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 0 127 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 0 51 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 0 48 A Montaggio superficiale
