MOSFET Infineon, canale N 100 V, 4.7 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 168-6012
Codice costruttore:: IRFS4010TRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 4.7 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 800 unità, in una bobina da 800*

1500,00 €

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*prezzo indicativo

Codice RS:: 168-6012
Codice costruttore:: IRFS4010TRLPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	180A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	4.7mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	375W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	143nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	10.67mm
	Altezza	4.83mm
	Larghezza	9.65mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 180A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package TO-263
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.7mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 375W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 143nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 10.67mm
	Altezza 4.83mm
	Larghezza 9.65mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 180 A, dissipazione di potenza massima di 375 W - IRFS4010TRLPBF

Questo MOSFET ad alta potenza offre prestazioni elevate in diverse applicazioni, essenziali per i sistemi elettronici contemporanei. Il funzionamento in modalità enhancement e l'avanzata tecnologia HEXFET garantiscono una gestione efficiente dell'alimentazione, rendendolo adatto alle applicazioni che richiedono un controllo affidabile dell'alimentazione.

Caratteristiche e vantaggi

• Supporta una corrente di drenaggio continua fino a 180A per carichi consistenti

• Tensione massima di drenaggio-sorgente nominale di 100 V per una maggiore flessibilità

• La bassa Rds(on) di 4,7mΩ riduce al minimo la perdita di potenza durante il funzionamento

• Progettato in un'unica configurazione per una più facile integrazione

• Gestisce efficacemente temperature fino a +175°C

• Capacità di commutazione di potenza ad alta velocità per operazioni efficienti

Applicazioni

• Utilizzato nel raddrizzamento sincrono per gli alimentatori a commutazione

• Adatto ai sistemi di continuità

• Applicato nei circuiti a commutazione forte e ad alta frequenza

• Utilizzato nelle apparecchiature di automazione che necessitano di una gestione efficiente dell'energia

• Si integra bene in diversi progetti elettrici e meccanici

In che modo la resistenza influisce sulle prestazioni nelle applicazioni ad alta frequenza?

Una bassa Rds(on) riduce notevolmente la generazione di calore e la perdita di potenza, migliorando l'efficienza dei convertitori di potenza ad alta frequenza.

Quale tensione di gate è necessaria per garantire un funzionamento ottimale?

Il dispositivo funziona efficacemente con una tensione gate-source compresa tra 2V e 4V, con 10V consigliati per la massima efficienza.

L'installazione di questo componente è semplice?

Sì, questo MOSFET a montaggio superficiale è stato progettato per un facile posizionamento su PCB, consentendo una configurazione rapida e affidabile in vari dispositivi.

È in grado di gestire efficacemente la gestione termica?

Con una temperatura di giunzione operativa massima di +175°C, è adatto all'uso in ambienti che richiedono solide prestazioni termiche.

Quali tipi di circuiti possono trarre vantaggio dall'incorporazione di questo componente?

È ideale per le applicazioni di commutazione ad alta velocità, i circuiti di pilotaggio dei carichi e i sistemi di gestione dell'alimentazione nei settori dell'automazione e dell'elettricità.