MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 4.7 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRFS4010TRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
130-0999
Codice costruttore:
IRFS4010TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

143nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 180 A, dissipazione di potenza massima di 375 W - IRFS4010TRLPBF


Questo MOSFET ad alta potenza offre prestazioni elevate in diverse applicazioni, essenziali per i sistemi elettronici contemporanei. Il funzionamento in modalità enhancement e l'avanzata tecnologia HEXFET garantiscono una gestione efficiente dell'alimentazione, rendendolo adatto alle applicazioni che richiedono un controllo affidabile dell'alimentazione.

Caratteristiche e vantaggi


• Supporta una corrente di drenaggio continua fino a 180A per carichi consistenti

• Tensione massima di drenaggio-sorgente nominale di 100 V per una maggiore flessibilità

• La bassa Rds(on) di 4,7mΩ riduce al minimo la perdita di potenza durante il funzionamento

• Progettato in un'unica configurazione per una più facile integrazione

• Gestisce efficacemente temperature fino a +175°C

• Capacità di commutazione di potenza ad alta velocità per operazioni efficienti

Applicazioni


• Utilizzato nel raddrizzamento sincrono per gli alimentatori a commutazione

• Adatto ai sistemi di continuità

• Applicato nei circuiti a commutazione forte e ad alta frequenza

• Utilizzato nelle apparecchiature di automazione che necessitano di una gestione efficiente dell'energia

• Si integra bene in diversi progetti elettrici e meccanici

In che modo la resistenza influisce sulle prestazioni nelle applicazioni ad alta frequenza?


Una bassa Rds(on) riduce notevolmente la generazione di calore e la perdita di potenza, migliorando l'efficienza dei convertitori di potenza ad alta frequenza.

Quale tensione di gate è necessaria per garantire un funzionamento ottimale?


Il dispositivo funziona efficacemente con una tensione gate-source compresa tra 2V e 4V, con 10V consigliati per la massima efficienza.

L'installazione di questo componente è semplice?


Sì, questo MOSFET a montaggio superficiale è stato progettato per un facile posizionamento su PCB, consentendo una configurazione rapida e affidabile in vari dispositivi.

È in grado di gestire efficacemente la gestione termica?


Con una temperatura di giunzione operativa massima di +175°C, è adatto all'uso in ambienti che richiedono solide prestazioni termiche.

Quali tipi di circuiti possono trarre vantaggio dall'incorporazione di questo componente?


È ideale per le applicazioni di commutazione ad alta velocità, i circuiti di pilotaggio dei carichi e i sistemi di gestione dell'alimentazione nei settori dell'automazione e dell'elettricità.

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