MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 180 mΩ, 10 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
214-4469
Codice costruttore:
IRL520NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio combinato con l'elevata velocità di commutazione e robustezza il design del dispositivo fornisce un dispositivo affidabile ed efficiente

È completamente classificato con effetto valanga

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