MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 2.5 mΩ Miglioramento, 126 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2710,00 €

(IVA esclusa)

3305,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 02 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,542 €2.710,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
214-8985
Codice costruttore:
BSZ025N04LSATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

126A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TSDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.2mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.1 mm

Lunghezza

5.35mm

Standard automobilistico

No

Le famiglie di prodotti Infineon 40V e 60V non sono dotate solo della R DS(on) più bassa del settore, ma anche di un comportamento di commutazione perfetto per le applicazioni di commutazione rapida. R DS(on) inferiore del 15% e figura di merito inferiore del 31% (R DS(on) x Q g) rispetto ai dispositivi alternativi sono stati realizzati mediante Advanced Thin wafer Technology. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo.

Testato con effetto valanga al 100%

Eccellente resistenza termica

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Link consigliati