MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 2.5 mΩ Miglioramento, 126 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ025N04LSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-8986
Codice costruttore:
BSZ025N04LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

126A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.1 mm

Altezza

1.2mm

Lunghezza

5.35mm

Standard automobilistico

No

Le famiglie di prodotti Infineon 40V e 60V non sono dotate solo della R DS(on) più bassa del settore, ma anche di un comportamento di commutazione perfetto per le applicazioni di commutazione rapida. R DS(on) inferiore del 15% e figura di merito inferiore del 31% (R DS(on) x Q g) rispetto ai dispositivi alternativi sono stati realizzati mediante Advanced Thin wafer Technology. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo.

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Ottimizzato per la rettifica sincrona

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