MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 165 mΩ Miglioramento, 10.9 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ16DN25NS3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-8988
Codice costruttore:
BSZ16DN25NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

165mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.6nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.49mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Larghezza

6.35 mm

Standard automobilistico

No

I prodotti OptiMOS 250V Infineon vantano tecnologie di benchmark con prestazioni leader del settore, perfettamente adatte per la rettifica sincrona in sistemi 48V, convertitori c.c.-c.c., gruppi di continuità (UPS) e inverter per azionamenti per motori c.c. Con il minor consumo di spazio sulla scheda, questi consentono di migliorare i costi del sistema. Offrono le migliori prestazioni della categoria per offrire maggiore efficienza, densità di potenza e caratteristiche a basso impatto ambientale.

Ha una temperatura d'esercizio di 150 °C.

Qualificato in base a JEDEC per le applicazioni target

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