MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 104 mΩ Miglioramento, 20 A, 5 Pin, VSON, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

5385,00 €

(IVA esclusa)

6570,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 04 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,795 €5.385,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
214-9069
Codice costruttore:
IPL60R104C7AUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

VSON

Serie

CoolMOS C7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

104mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

122W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

8.1 mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS C7 è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie 600V CoolMOS C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. Sono adatti per funzioni di commutazione dure e morbide. Viene fornito con soluzioni a maggiore densità di potenza grazie ai contenitori più piccoli. Incorpora soluzioni ottimizzate per l'assemblaggio e il layout del circuito stampato.

Adatto per la commutazione dura e morbida

Contenitore SMD con induttanza parassita molto bassa per un facile dispositivo controllo

Link consigliati