MOSFET Infineon, canale N 600 V, 104 mΩ Miglioramento, 20 A, 5 Pin, VSON, Superficie IPL60R104C7AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9070
Codice costruttore:
IPL60R104C7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

CoolMOS C7

Tipo di package

VSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

104mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

122W

Tensione diretta Vf

900mV

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

8.1mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS C7 è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie 600V CoolMOS C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. Sono adatti per funzioni di commutazione dure e morbide. Viene fornito con soluzioni a maggiore densità di potenza grazie ai contenitori più piccoli. Incorpora soluzioni ottimizzate per l'assemblaggio e il layout del circuito stampato.

Adatto per la commutazione dura e morbida

Contenitore SMD con induttanza parassita molto bassa per un facile dispositivo controllo

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