MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 180 mΩ Miglioramento, 22.4 A, 5 Pin, VSON, Superficie IPL60R180P6AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9074
Codice costruttore:
IPL60R180P6AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

22.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

VSON

Serie

CoolMOS P6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

176W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Lunghezza

8.1mm

Larghezza

8.1 mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie CoolMOS P6 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con l'innovazione di alta classe. I dispositivi offerti offrono tutti i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso. Le perdite di conduzione e commutazione estremamente basse rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, più compatte, più leggere e più fredde.

Maggiore robustezza del MOSFET dv/dt

Facile da usare/guidare

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