MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 185 mΩ Miglioramento, 13 A, 4 Pin, VSON, Superficie

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Codice RS:
222-4682
Codice costruttore:
IPL60R185C7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

VSON

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

185mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Dissipazione di potenza massima Pd

77W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

8.1mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

8.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

MSL1 fino a 260 °C con certificazione AEC Q101 per la saldatura a riflusso Peak

OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche

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