MOSFET e diodo Infineon, canale N 650 V, 65 mΩ Miglioramento, 97 A, 5 Pin, VSON, Superficie IPL60R095CFD7AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7431
Codice costruttore:
IPL60R095CFD7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

97A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

VSON

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

147W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8.1mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon 600V Cool MOS CFD7 è la più recente tecnologia MOSFET a super giunzione ad alta tensione di Infineon con diodo integrato a corpo rapido, che completa la serie Cool MOS 7. Cool MOS CFD7 viene fornito con carica di gate ridotta (Qg), comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso (Qrr) fino al 69% in meno rispetto alla concorrenza, nonché il tempo di recupero inverso (trr) più basso sul mercato.

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