Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,065 O, 151 A, ThinkPAK 8 x 8, Montaggio superficiale

Il MOSFET a super giunzione (SJ) Cool MOS 600V Infineon è P7 il successore della serie 600V Cool MOS P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione Cool MOS 7th garantiscono la sua elevata efficienza.

600V P7 consente un'eccellente RDS(ON)xEoss FOM e RDS(ON)xQG
Robustezza ESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)
Resistore gate RG integrato
Diodo dal corpo robusto
Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale
Sono disponibili parti di grado standard e industriale
Eccellenti FOMS RDS(ON)xQG / RDS(ON)xEoss consentono una maggiore efficienza
Facilità d'uso in ambienti di produzione grazie all'interruzione dei guasti ESD
La RG integrata riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET
Il MOSFET è adatto per topologie di commutazione sia difficili che risonanti Come PFC e LLC
Eccellente robustezza durante la commutazione difficile del diodo del corpo visto Nella topologia LLC
Adatto per un'ampia varietà di applicazioni finali e uscite poteri
Parti disponibili adatte per applicazioni industriali e di consumo