MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 65 mΩ Miglioramento, 151 A, 5 Pin, VSON, Superficie

Codice RS:: 220-7428
Codice costruttore:: IPL60R065P7AUMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 65 mΩ Miglioramento, 151 A, 5 Pin, VSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

8652,00 €

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Codice RS:: 220-7428
Codice costruttore:: IPL60R065P7AUMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET e diodo
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	151A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	CoolMOS P7
	Tipo di package	VSON
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	65mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	67nC
	Tensione diretta Vf	0.9V
	Dissipazione di potenza massima Pd	201W
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.1mm
	Lunghezza	8.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET e diodo
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 151A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie CoolMOS P7
	Tipo di package VSON
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 65mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 67nC
	Tensione diretta Vf 0.9V
	Dissipazione di potenza massima Pd 201W
	Minima temperatura operativa -40°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.1mm
	Lunghezza 8.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPL60R065P7AUMA1

Il MOSFET a super giunzione (SJ) Cool MOS 600V Infineon è P7 il successore della serie 600V Cool MOS P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione Cool MOS 7th garantiscono la sua elevata efficienza.

600V P7 consente un'eccellente RDS(ON)xEoss FOM e RDS(ON)xQG

Robustezza ESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)

Resistore gate RG integrato

Diodo dal corpo robusto

Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale

Sono disponibili parti di grado standard e industriale

Eccellenti FOMS RDS(ON)xQG / RDS(ON)xEoss consentono una maggiore efficienza

Facilità d'uso in ambienti di produzione grazie all'interruzione dei guasti ESD

La RG integrata riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET

Il MOSFET è adatto per topologie di commutazione sia difficili che risonanti Come PFC e LLC

Eccellente robustezza durante la commutazione difficile del diodo del corpo visto Nella topologia LLC

Adatto per un'ampia varietà di applicazioni finali e uscite poteri

Parti disponibili adatte per applicazioni industriali e di consumo

MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 65 mΩ Miglioramento, 151 A, 5 Pin, VSON, Superficie

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