MOSFET e diodo Infineon, canale N 650 V, 105 mΩ Miglioramento, 100 A, 5 Pin, VSON, Superficie IPL60R105P7AUMA1
- Codice RS:
- 220-7433
- Codice costruttore:
- IPL60R105P7AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 2 unità*
9,48 €
(IVA esclusa)
11,56 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 2474 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,74 € | 9,48 € |
| 10 - 18 | 4,265 € | 8,53 € |
| 20 - 48 | 3,975 € | 7,95 € |
| 50 - 98 | 3,70 € | 7,40 € |
| 100 + | 3,465 € | 6,93 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7433
- Codice costruttore:
- IPL60R105P7AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | VSON | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 105mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 45nC | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 137W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 8.1mm | |
| Larghezza | 8.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo di package VSON | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 105mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 45nC | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 137W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 8.1mm | ||
Larghezza 8.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET e diodo Infineon CoolMOS serie P7, tensione massima della sorgente di drenaggio di 650 V, corrente di drenaggio continua massima di 100 A - IPL60R105P7AUMA1
Questo MOSFET e diodo è un dispositivo di commutazione di potenza ad alta tensione progettato per applicazioni a montaggio superficiale in contesti di conversione di potenza e commutazione. Combina un transistor in modalità di potenziamento a canale N con un diodo integrato per gestire tensioni drain-source elevate e correnti continue sostanziali mentre funziona in un ampio intervallo di temperatura.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 100 A supporta la gestione di carichi pesanti
• La Rds(on) massima di 105 mΩ riduce le perdite di conduzione nelle fasi di potenza
• La dissipazione di potenza massima di 137 W consente un carico termico elevato
• La carica di gate tipica di 45 nC a Vgs 20 V bilancia i requisiti di azionamento
• Il pacchetto a 5 pin VSON supporta l'integrazione compatta a montaggio superficiale
• La corrente di drenaggio continua di 100 A supporta la gestione di carichi pesanti
• La Rds(on) massima di 105 mΩ riduce le perdite di conduzione nelle fasi di potenza
• La dissipazione di potenza massima di 137 W consente un carico termico elevato
• La carica di gate tipica di 45 nC a Vgs 20 V bilancia i requisiti di azionamento
• Il pacchetto a 5 pin VSON supporta l'integrazione compatta a montaggio superficiale
Applicazioni
• Adatto per la commutazione sul lato primario SMPS nei convertitori ad alta tensione
• Ideale per alimentatori offline che richiedono un diodo MOSFET ad alta tensione
• Utilizzato per la rettifica sincrona in progetti di convertitori ad alta potenza
• Può essere utilizzato per le fasi front-end dell'azionamento del motore industriale
• Adatto per convertitori CC-CC che gestiscono una corrente continua consistente
• Ideale per alimentatori offline che richiedono un diodo MOSFET ad alta tensione
• Utilizzato per la rettifica sincrona in progetti di convertitori ad alta potenza
• Può essere utilizzato per le fasi front-end dell'azionamento del motore industriale
• Adatto per convertitori CC-CC che gestiscono una corrente continua consistente
Quale intervallo di tensione dell'azionamento del gate è consentito per un funzionamento sicuro?
Il dispositivo accetta tensioni gate-source fino a 20 V mentre funziona come dispositivo a canale N in modalità di potenziamento.
Quali estremi termici può sopportare durante il funzionamento?
È specificato per il funzionamento continuo da -40 °C fino a 150 °C.
In che modo il contenitore influisce sul montaggio e sul layout?
Il pacchetto VSON a 5 pin per montaggio superficiale consente un montaggio a basso profilo e una saldatura semplice del circuito stampato per assemblaggi compatti.
Quali sono i costi tipici che i progettisti di carichi di commutazione devono sostenere nei gate driver?
Aspettatevi una carica totale del gate tipica di circa 45 nC alla tensione nominale del gate, che fornisce informazioni sui calcoli della corrente del driver e della perdita di commutazione.
Link consigliati
- MOSFET e diodo Infineon 105 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 65 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 65 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 65 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie IPL60R095CFD7AUMA1
- MOSFET e diodo Infineon 65 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie IPL60R065P7AUMA1
- MOSFET Infineon 185 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 130 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 185 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie IPL60R185C7AUMA1