MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 105 mΩ Miglioramento, 100 A, 5 Pin, VSON, Superficie IPL60R105P7AUMA1
- Codice RS:
- 220-7433
- Codice costruttore:
- IPL60R105P7AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,165 € | 6,33 € |
| 10 - 18 | 2,85 € | 5,70 € |
| 20 - 48 | 2,655 € | 5,31 € |
| 50 - 98 | 2,47 € | 4,94 € |
| 100 + | 2,31 € | 4,62 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7433
- Codice costruttore:
- IPL60R105P7AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | VSON | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 105mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 137W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 45nC | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 8.1 mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 8.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo di package VSON | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 105mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 137W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 45nC | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 8.1 mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 8.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a super giunzione (SJ) Cool MOS 600V Infineon è P7 il successore della serie 600V Cool MOS P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione Cool MOS 7th garantiscono la sua elevata efficienza.
600V P7 consente un'eccellente RDS(ON)xEoss FOM e RDS(ON)xQG
Robustezza ESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)
Resistore gate RG integrato
Diodo dal corpo robusto
Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale
Sono disponibili parti di grado standard e industriale
Eccellenti FOMS RDS(ON)xQG / RDS(ON)xEoss consentono una maggiore efficienza
Facilità d'uso in ambienti di produzione grazie all'interruzione dei guasti ESD
La RG integrata riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET
Il MOSFET è adatto per topologie di commutazione sia difficili che risonanti Come PFC e LLC
Eccellente robustezza durante la commutazione difficile del diodo del corpo visto Nella topologia LLC
Adatto per un'ampia varietà di applicazioni finali e uscite poteri
Parti disponibili adatte per applicazioni industriali e di consumo
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