MOSFET Infineon, canale N 650 V, 130 mΩ Miglioramento, 15 A, 5 Pin, VSON, Superficie IPL65R130C7AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9079
Codice costruttore:
IPL65R130C7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS C7

Tipo di package

VSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Tensione diretta Vf

800mV

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

102W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.1mm

Larghezza

8.1mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. La gamma di prodotti offre tutti i vantaggi dei MOSFET a super giunzione a commutazione rapida che offrono una migliore efficienza, una carica di gate ridotta, una facile implementazione e un'eccezionale affidabilità.

Facile da usare/azionare grazie al pin della sorgente del driver per una migliore qualità controllo del cancello

Adatto per applicazioni industriali in conformità a JEDEC (J-STD20 E JESD22)

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