MOSFET Infineon, canale N 600 V, 160 mΩ Miglioramento, 16 A, 5 Pin, VSON, Superficie IPL60R160CFD7AUMA1
- Codice RS:
- 214-9072
- Codice costruttore:
- IPL60R160CFD7AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-9072
- Codice costruttore:
- IPL60R160CFD7AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 16A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | VSON | |
| Serie | CoolMOS CFD7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 160mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 31nC | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 95W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Larghezza | 8.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 8.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 16A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package VSON | ||
Serie CoolMOS CFD7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 160mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 31nC | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 95W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.1mm | ||
Larghezza 8.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 8.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. Il più recente CoolMOS CFD7 è il successore della serie CoolMOS CFD2 ed è una piattaforma ottimizzata progettata per applicazioni di commutazione soft, come ad esempio full-bridge a commutazione di fase (ZVS) e LLC. La tecnologia CoolMOS CFD7 soddisfa i più elevati standard di efficienza e affidabilità e supporta inoltre soluzioni ad alta densità di potenza. Complessivamente, CoolMOS CFD7 rende le topologie di commutazione risonanti più efficienti, più affidabili, più leggere e più fredde.
Diodo corpo ultra-rapido
Bassa carica di gate
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