MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 33 mΩ Miglioramento, 27 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
215-2505
Codice costruttore:
IPD33CN10NGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

27A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS 2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Dissipazione di potenza massima Pd

58W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza 100V OptiMOS™ di Infineon offrono soluzioni superiori per SMPS ad alta efficienza e densità di potenza. Rispetto alla più prossima tra le migliori tecnologie, questa famiglia raggiunge una riduzione del 30% sia in R DS(on) sia in FOM (figura di merito).

Canale N, livello normale

Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM)

Resistenza R DS(on) molto bassa

Placcatura senza piombo

Certificato in conformità alla norma JEDEC per l'applicazione di destinazione

Ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona

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