MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 7.1 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
215-2547
Codice costruttore:
IPP80N06S407AKSA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie di transistor di potenza Infineon OptiMOS® -T2 è dotata di tensione di sorgente di drain massima 60V con contenitore tipo TO-220. È un canale N con una resistenza massima alla sorgente di drain di 7,1 mΩ.

Canale N - modalità potenziata

Certificazione AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

Testato al 100% con effetto valanga

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