1 MOSFET di potenza Infineon Duale, canale Tipo N, 13.4 mΩ, 10 A 20 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2590
Codice costruttore:
IRF8910TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.4nC

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET ha una tensione di sorgente di drain massima di 20V in un contenitore SO-8. È dotato di un'applicazione come doppio MOSFET SO-8 per convertitori POL in desktop, server, schede grafiche, console di gioco e set-top box.

Senza piombo

Bassa resistenza RDS(on)

Bassissima impedenza gate

MOSFET a doppio a canale N

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