1 MOSFET di potenza Infineon Duale, canale Tipo N, 13.4 mΩ, 10 A 20 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

17,60 €

(IVA esclusa)

21,475 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 06 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 1000,704 €17,60 €
125 - 2250,67 €16,75 €
250 - 6000,641 €16,03 €
625 - 12250,613 €15,33 €
1250 +0,571 €14,28 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2590
Codice costruttore:
IRF8910TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Larghezza

4 mm

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET ha una tensione di sorgente di drain massima di 20V in un contenitore SO-8. È dotato di un'applicazione come doppio MOSFET SO-8 per convertitori POL in desktop, server, schede grafiche, console di gioco e set-top box.

Senza piombo

Bassa resistenza RDS(on)

Bassissima impedenza gate

MOSFET a doppio a canale N

Link consigliati