MOSFET Taiwan Semiconductor, 15 m.Ω, 38 A, PDFN56
- Codice RS:
- 216-9693
- Codice costruttore:
- TSM150NB04DCR
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
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- Codice RS:
- 216-9693
- Codice costruttore:
- TSM150NB04DCR
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Taiwan Semiconductor | |
| Corrente massima continuativa di drain | 38 A | |
| Tensione massima drain source | 40 V | |
| Tipo di package | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima drain source | 15 m.Ω | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4V | |
| Materiale del transistor | Silicone | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Taiwan Semiconductor | ||
Corrente massima continuativa di drain 38 A | ||
Tensione massima drain source 40 V | ||
Tipo di package PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima drain source 15 m.Ω | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4V | ||
Materiale del transistor Silicone | ||
I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. Effetto campo vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.
Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg
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