MOSFET Taiwan Semiconductor, canale N 40 V, 15 mΩ Miglioramento, 41 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie TSM150NB04LCR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-9696
Codice costruttore:
TSM150NB04LCR
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

41A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

56W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC, WEEE

Larghezza

5.2mm

Lunghezza

6.2mm

Standard automobilistico

No

non fonderie


I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg

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