MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 60 V, 17 mΩ Miglioramento, 44 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie TSM170N06PQ56
- Codice RS:
- 216-9700
- Codice costruttore:
- TSM170N06PQ56
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,678 € | 41,95 € |
| 50 - 75 | 1,646 € | 41,15 € |
| 100 - 225 | 1,514 € | 37,85 € |
| 250 - 975 | 1,483 € | 37,08 € |
| 1000 + | 1,374 € | 34,35 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 216-9700
- Codice costruttore:
- TSM170N06PQ56
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 44A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 17mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 29nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 73.5W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5.1 mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC, RoHS, WEEE | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Taiwan Semiconductor | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 44A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 29nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 73.5W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5.1 mm | ||
Standard/Approvazioni IEC, RoHS, WEEE | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.
Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg
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