MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 60 V, 17 mΩ Miglioramento, 44 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie TSM170N06PQ56

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-9700
Codice costruttore:
TSM170N06PQ56
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

44A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TSM025

Tipo di package

PDFN56

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

73.5W

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC, RoHS, WEEE

Altezza

1.1mm

Lunghezza

6.1mm

Standard automobilistico

No

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg

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