MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 1 Ω N, 7.2 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPA65R1K0CEXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2487
Codice costruttore:
IPA65R1K0CEXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15.3nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.65mm

Larghezza

4.9 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

29.75mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-39-405

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. CoolMOS CE è una piattaforma ottimizzata per le prestazioni in termini di prezzo che consente di soddisfare le applicazioni sensibili ai costi nei mercati dei prodotti di consumo e dell'illuminazione pur rispettando i più elevati standard di efficienza. La nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso e offrendo il miglior rapporto costo-prestazioni disponibile sul mercato.

Perdite estremamente basse dovute a FOMRD molto bassi su Qg e. Eoss

Robustezza di commutazione molto elevata

Facile da usare/guidare

Placcatura senza piombo, composto di stampaggio senza alogeni

Adatto per applicazioni di livello standard

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