MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2435,00 €

(IVA esclusa)

2970,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 15.000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,487 €2.435,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
217-2511
Codice costruttore:
IPC100N04S51R9ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SuperSO

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon 40V, N-CH, 1,9 MΩ max, per uso automobilistico, PQNF, OptiMOS™-5.

OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche

Canale N - modalità potenziata - livello normale

Certificazione AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

Testato al 100% con effetto valanga

Link consigliati