MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 210 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 217-2560
- Codice costruttore:
- IPP60R210CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 217-2560
- Codice costruttore:
- IPP60R210CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS 7 | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 210mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 64W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4.57 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Altezza | 29.95mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie CoolMOS 7 | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 210mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 64W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4.57 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Altezza 29.95mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies.
Diodo corpo ultra-rapido
Bassa carica di gate
Addebito di recupero inverso (Qrr) migliore della categoria
Diodo inverso MOSFET dv/dt e DIF/dtruggedness migliorati
FOMRDS(ON)*Qg più basso e RDS(ON)*Eoss
RDS(on) migliore della categoria in contenitori SMD e THD