MOSFET Infineon, canale N 600 V, 210 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP60R210CFD7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2561
Codice costruttore:
IPP60R210CFD7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-220

Serie

CoolMOS 7

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

210mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Dissipazione di potenza massima Pd

64W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

900mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.36mm

Altezza

29.95mm

Larghezza

4.57mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies.

Diodo corpo ultra-rapido

Bassa carica di gate

Addebito di recupero inverso (Qrr) migliore della categoria

Diodo inverso MOSFET dv/dt e DIF/dtruggedness migliorati

FOMRDS(ON)*Qg più basso e RDS(ON)*Eoss

RDS(on) migliore della categoria in contenitori SMD e THD

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